Samsung acaba de dar un paso que podría cambiar la ecuación del hardware para inteligencia artificial en el segmento de bajo consumo. En el evento Hot Chips 2026, la compañía surcoreana presentó en detalle su LPDDR5X-PIM, la primera memoria de tipo LPDDR5X con lógica de procesamiento integrada directamente en los chips de DRAM. No se trata de un concepto de laboratorio: Samsung ya ha pasado el producto por un proceso de validación real, y los resultados preliminares son contundentes. En inferencia de IA, la memoria logra una mejora de 3,01 veces en tokens por segundo frente a la LPDDR5X convencional, y multiplica por ocho el ancho de banda efectivo. Una cifra que, sobre el papel, convierte esta tecnología en una alternativa seria frente a soluciones mucho más caras como la HBM.

PIM: cuando la memoria deja de ser un simple almacén de datos

El concepto de Processing-in-Memory (PIM), o procesamiento en memoria, no es nuevo para Samsung. La empresa lleva experimentando con esta tecnología desde 2021, cuando la pilotó en pilas de memoria HBM integradas en aceleradores de AMD. La idea central es sencilla pero poderosa: en lugar de enviar constantemente datos desde la memoria hasta el procesador para realizar cálculos básicos, ¿por qué no ejecutar esos cálculos directamente donde viven los datos? Eso es exactamente lo que hace PIM: incluir una pequeña unidad lógica junto a las celdas DRAM, eliminando uno de los cuellos de botella más persistentes en las cargas de trabajo de IA moderna, que es el movimiento masivo de datos entre memoria y chip.

Con LPDDR5X-PIM, Samsung da un salto cualitativo respecto a su implementación anterior en HBM. En aquel caso, para encajar la lógica dentro del stack, la compañía tuvo que sacrificar bancos de memoria. En la nueva solución LPDDR5X, cada banco de memoria tiene su propia unidad PIM, lo que supone una arquitectura más eficiente y equilibrada. Cada banco alimenta árboles paralelos de operaciones MAC (Multiply-Accumulate, la operación matemática fundamental en inferencia de redes neuronales), y el resultado se escribe en un registro vectorial antes de ser devuelto al banco de memoria para que el procesador anfitrión lo lea. La memoria puede operar en dos modos: modo banco único (DRAM convencional) o modo multi-banco (PIM), siendo compatible con controladores DRAM estándar.

Especificaciones técnicas

Samsung ha compartido las características clave de su LPDDR5X-PIM en Hot Chips 2026. Aunque el producto sigue en fase de validación, las especificaciones publicadas son las siguientes:

  • Estándar base: LPDDR5X-9600
  • Packaging: array estándar de 561 bolas, igual que LPDDR5X convencional
  • Configuración: dos rangos de 64 bits, módulos de 16 GB
  • Dies por módulo: ocho (cuatro por rango)
  • Ancho de banda pico (modo convencional): 76,8 GB/s
  • Ancho de banda pico (modo PIM): 614 GB/s (aumento de 8x)
  • Mejora en tiempo de ejecución de modelo IA: 2,28x respecto a LPDDR5X estándar
  • Mejora en tokens por segundo (TPS): 3,01x respecto a LPDDR5X estándar
  • Benchmark de referencia: Llama 3.1 con 8.000 millones de parámetros sobre un acelerador de IA en el edge
614 GB/s de ancho de banda efectivo: ocho veces más que la LPDDR5X convencional, sin cambiar el encapsulado físico.

La alternativa económica a la HBM que el mercado de IA estaba esperando

El contexto en el que aparece LPDDR5X-PIM no puede ser más oportuno. Samsung abrió su presentación reconociendo algo que nadie en la industria discute: la memoria representa la mayor parte del coste de los chips de IA, y esa proporción no deja de crecer. La HBM (High Bandwidth Memory), actualmente el estándar de facto en aceleradores de IA de alto rendimiento, es extremadamente cara y escasa. Micron advirtió, precisamente durante Hot Chips, que la demanda de obleas para HBM seguirá tensionada. En ese entorno, una solución basada en LPDDR5X —mucho más accesible en coste y ya en producción a escala— con capacidades de procesamiento embebido tiene un atractivo evidente.

La LPDDR5X también ha dejado de ser un componente exclusivo de smartphones y tablets. Recientemente, Nvidia eligió LPDDR5X como memoria para su CPU Vera gracias a los módulos SOCAMM2 intercambiables, e Intel la utiliza en su acelerador de IA Crescent Island. Eso significa que el ecosistema industrial y de edge computing ya está adoptando este tipo de memoria, y LPDDR5X-PIM llega en el momento ideal para extender esa tendencia hacia aplicaciones de inferencia más exigentes. En cuanto a la eficiencia energética, Samsung asegura que, pese al mayor pico de consumo puntual que introduce la lógica PIM, el consumo total esperado es menor que el de la DRAM convencional, precisamente porque se reducen drásticamente los ciclos de lectura y escritura entre memoria y procesador.

¿Qué supone para el comprador hispanohablante?

LPDDR5X-PIM es, a día de hoy, una tecnología en fase de validación orientada principalmente a fabricantes de SoCs, aceleradores de IA y diseñadores de sistemas embebidos o de edge computing, no a consumidores finales que compran RAM para su PC. Sin embargo, su impacto indirecto será muy real: si esta memoria se adopta masivamente en chips de inferencia local —los que alimentarán futuros portátiles, smartphones y dispositivos de IA en el hogar—, el usuario final se beneficiará de mayor rendimiento en tareas de IA sin que el precio del dispositivo se dispare. Samsung también ha mencionado que espera tener una especificación inicial de JEDEC para LPDDR6X-PIM antes de que termine este año, lo que anticipa una hoja de ruta de varios años con mejoras sucesivas. No hay precios públicos confirmados para LPDDR5X-PIM, y tampoco fechas de disponibilidad en canal minorista. Para quienes estén evaluando opciones de cuánta RAM y de qué tipo necesitan en 2026, esta tecnología aún no es una opción de compra directa, pero sí es una señal clara de hacia dónde va el mercado.

Nuestra valoración

Samsung ha dado un golpe técnico muy sólido con LPDDR5X-PIM. Triplicar el rendimiento en inferencia IA y multiplicar por ocho el ancho de banda efectivo sin cambiar el encapsulado físico es un logro de ingeniería notable, y el argumento económico frente a la HBM es difícil de ignorar en un contexto donde los costes de memoria están ahogando el diseño de aceleradores asequibles. El hecho de que el producto ya haya pasado por validación —no sea solo una demo de laboratorio— le da credibilidad real. Que los resultados de inferencia no sean idénticos a los de LPDDR5X estándar es un punto a vigilar, aunque Samsung asegura que las optimizaciones están en marcha.

Para el mercado hispanohablante, el impacto más inmediato llegará de forma indirecta: en dispositivos de edge AI y en portátiles de próxima generación que integren chips con esta memoria. No tiene sentido esperar a LPDDR5X-PIM para comprar un PC hoy, pero sí es una tecnología que los compradores de sistemas de inferencia local o embebidos deberían seguir de cerca. Si la hoja de ruta de LPDDR6X-PIM avanza según lo previsto, el ecosistema de IA en el edge podría transformarse radicalmente antes de lo que muchos esperan.